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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
33
左右 18% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.1
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
33
读取速度,GB/s
11.8
16.1
写入速度,GB/s
7.3
11.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
3084
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905403-02X.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
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