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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
45
左右 40% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.2
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.1
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
45
读取速度,GB/s
11.8
16.2
写入速度,GB/s
7.3
14.1
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
3027
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Kingston 9905599-026.A00G 8GB
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Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
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