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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
30
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.7
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
30
读取速度,GB/s
11.8
18.7
写入速度,GB/s
7.3
12.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
2947
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
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AMD R744G2400U1S 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
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