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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Kingston KMKYF9-MIH 8GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
37
左右 27% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.4
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
37
读取速度,GB/s
11.8
13.0
写入速度,GB/s
7.3
9.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
2187
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB RAM的比较
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
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