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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.3
6.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
27
左右 -13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.9
11.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
24
读取速度,GB/s
11.8
13.9
写入速度,GB/s
7.3
6.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
2197
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB RAM的比较
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
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