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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
27
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
23
读取速度,GB/s
11.8
17.3
写入速度,GB/s
7.3
12.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
2979
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
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