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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
38
左右 29% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.9
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.5
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
38
读取速度,GB/s
11.8
13.9
写入速度,GB/s
7.3
10.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
2400
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
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Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
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