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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
43
左右 37% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.5
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
43
读取速度,GB/s
11.8
15.5
写入速度,GB/s
7.3
11.9
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
2864
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
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Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
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