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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
34
左右 21% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.6
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
34
读取速度,GB/s
11.8
15.6
写入速度,GB/s
7.3
11.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
2468
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
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G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
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Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
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