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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
35
左右 23% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.4
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
35
读取速度,GB/s
11.8
15.4
写入速度,GB/s
7.3
11.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
2713
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
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Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
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