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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
28
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20.1
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.6
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
28
读取速度,GB/s
11.8
20.1
写入速度,GB/s
7.3
16.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
3990
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
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G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
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