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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
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更快的读取速度,GB/s
17.2
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
27
读取速度,GB/s
11.8
17.2
写入速度,GB/s
7.3
13.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
3292
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965516-430.A00G 16GB
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
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Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
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Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Nanya Technology NT4GC64B88B0NF-DI 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
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