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Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
比较
Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB vs Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
总分
Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB
总分
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
45
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
10.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.4
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
30
读取速度,GB/s
10.8
17.9
写入速度,GB/s
8.7
14.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2237
3571
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
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Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
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