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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
比较
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
总分
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
总分
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
76
左右 45% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.0
7.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.5
10.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
76
读取速度,GB/s
10.6
13.5
写入速度,GB/s
9.0
7.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2423
1587
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
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