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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
比较
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
总分
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
总分
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
19.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
92
左右 -229% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.0
1,266.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
92
28
读取速度,GB/s
2,105.4
19.2
写入速度,GB/s
1,266.1
15.0
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
339
3532
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
AMD R334G1339U2S 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
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