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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
比较
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
总分
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
总分
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
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规格
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
42
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.2
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
36
读取速度,GB/s
10.6
17.0
写入速度,GB/s
9.0
15.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2423
3562
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
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Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
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