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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
比较
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
总分
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
总分
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
42
左右 -68% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.5
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.2
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
25
读取速度,GB/s
10.6
19.5
写入速度,GB/s
9.0
16.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2423
3890
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
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