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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
比较
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
总分
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
总分
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
42
左右 -14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.7
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
37
读取速度,GB/s
10.6
16.1
写入速度,GB/s
9.0
12.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2423
2848
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
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Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
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