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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
比较
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
总分
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
总分
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
42
左右 -56% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
27
读取速度,GB/s
10.6
16.4
写入速度,GB/s
9.0
12.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2423
3372
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
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Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
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Kingston 9905700-046.A00G 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
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