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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
比较
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
总分
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.0
8.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
42
左右 -8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.7
10.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
39
读取速度,GB/s
10.6
13.7
写入速度,GB/s
9.0
8.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2423
2364
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
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Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
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