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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
14.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
104
左右 -247% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
30
读取速度,GB/s
3,192.0
17.8
写入速度,GB/s
2,404.5
14.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
3506
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905701-022.A00G 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
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