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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
13.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
104
左右 -395% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
21
读取速度,GB/s
3,192.0
18.1
写入速度,GB/s
2,404.5
13.4
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
3033
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Kingston 99U5469-046.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
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