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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
16.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
104
左右 -333% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
24
读取速度,GB/s
3,192.0
19.8
写入速度,GB/s
2,404.5
16.4
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
3889
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
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Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905670-012.A00G 8GB
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V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
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