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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
16.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
104
左右 -285% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
27
读取速度,GB/s
3,192.0
18.5
写入速度,GB/s
2,404.5
16.0
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
3873
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
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Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB RAM的比较
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
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G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
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