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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
104
左右 -247% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.6
2,404.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
30
读取速度,GB/s
3,192.0
14.4
写入速度,GB/s
2,404.5
8.6
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
2511
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
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