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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
14.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
104
左右 -225% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
32
读取速度,GB/s
3,192.0
18.8
写入速度,GB/s
2,404.5
14.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
3765
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
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SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Mushkin 994083 4GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
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