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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
11.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
82
104
左右 -27% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
82
读取速度,GB/s
3,192.0
12.3
写入速度,GB/s
2,404.5
11.3
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
1930
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
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