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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
11.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
77
104
左右 -35% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
6.9
2,404.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
77
读取速度,GB/s
3,192.0
11.9
写入速度,GB/s
2,404.5
6.9
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
1517
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
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