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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
11.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
104
左右 -215% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
33
读取速度,GB/s
3,192.0
15.0
写入速度,GB/s
2,404.5
11.0
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
2637
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
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Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
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Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
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