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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
12.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
104
左右 -316% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
25
读取速度,GB/s
3,192.0
15.9
写入速度,GB/s
2,404.5
12.9
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
2907
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB RAM的比较
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
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