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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
12.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
104
左右 -373% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
22
读取速度,GB/s
3,192.0
17.0
写入速度,GB/s
2,404.5
12.2
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
2646
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
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