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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
104
左右 -259% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.4
2,404.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
29
读取速度,GB/s
3,192.0
14.8
写入速度,GB/s
2,404.5
8.4
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
2458
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
INTENSO 5641152 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
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