RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
11.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
104
左右 -206% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
34
读取速度,GB/s
3,192.0
15.3
写入速度,GB/s
2,404.5
11.1
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
2659
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Corsair CM3X8GA1600C10V2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link