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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
13.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
104
左右 -352% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
23
读取速度,GB/s
3,192.0
17.7
写入速度,GB/s
2,404.5
13.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
3115
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
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