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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
14.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
104
左右 -271% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
28
读取速度,GB/s
3,192.0
19.0
写入速度,GB/s
2,404.5
14.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
3651
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
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