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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
12.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
104
左右 -373% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
22
读取速度,GB/s
3,192.0
17.5
写入速度,GB/s
2,404.5
12.9
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
3083
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
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Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
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