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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
13.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
103
104
左右 -1% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.8
2,404.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
103
读取速度,GB/s
3,192.0
13.9
写入速度,GB/s
2,404.5
7.8
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
1520
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
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