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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Kingston 9965600-012.A02G 16GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
10.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
44
104
左右 -136% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.5
2,404.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
44
读取速度,GB/s
3,192.0
10.5
写入速度,GB/s
2,404.5
8.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
2562
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
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