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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
10.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
104
左右 -174% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
38
读取速度,GB/s
3,192.0
16.5
写入速度,GB/s
2,404.5
10.9
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
2829
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
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