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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
12.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
104
左右 -174% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
38
读取速度,GB/s
3,192.0
15.4
写入速度,GB/s
2,404.5
12.6
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
3147
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Kingston ACR16D3LU1KBG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
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Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
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