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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
10.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
104
左右 -197% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
6.0
2,404.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
35
读取速度,GB/s
3,192.0
10.3
写入速度,GB/s
2,404.5
6.0
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
1851
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
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Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
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