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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
13.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
104
左右 -174% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.1
2,404.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
38
读取速度,GB/s
3,192.0
13.8
写入速度,GB/s
2,404.5
9.1
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
2404
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
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Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR3 2400 CL10 4GB 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
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