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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
11.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
46
104
左右 -126% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.1
2,404.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
46
读取速度,GB/s
3,192.0
11.1
写入速度,GB/s
2,404.5
8.1
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
2388
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
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SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
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Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
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