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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
11.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
104
左右 -189% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
36
读取速度,GB/s
3,192.0
15.4
写入速度,GB/s
2,404.5
11.5
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
2320
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
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Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
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