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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
10.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
104
左右 -174% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
38
读取速度,GB/s
3,192.0
13.9
写入速度,GB/s
2,404.5
10.9
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
2581
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
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