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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
18.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
104
左右 -259% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
29
读取速度,GB/s
3,192.0
18.0
写入速度,GB/s
2,404.5
18.1
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
3847
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB RAM的比较
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
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