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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
14.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
104
左右 -235% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
31
读取速度,GB/s
3,192.0
17.9
写入速度,GB/s
2,404.5
14.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
3444
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
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