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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
12.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
104
左右 -395% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
21
读取速度,GB/s
3,192.0
17.6
写入速度,GB/s
2,404.5
12.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
3126
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905701-010.A00G 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
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Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
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G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
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