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Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
比较
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
总分
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
总分
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
11.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
75
左右 -178% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
5.4
2,072.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
75
27
读取速度,GB/s
2,730.3
11.2
写入速度,GB/s
2,072.7
5.4
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
858
1774
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB RAM的比较
Samsung M395T5160QZ4-CE65 2GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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