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Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
总分
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
65
左右 -97% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.9
1,574.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
33
读取速度,GB/s
3,858.9
18.7
写入速度,GB/s
1,574.4
15.9
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
607
3635
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
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